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  因为全桥拓扑结构是微型逆变器中一种非常重要的电路结构，能够提高电路效率、改善输出波形、实现输出电压调节和增强电路的抗干扰能力，为微型逆变器的性能提升和应用拓展提供了有力支持。

  碳化硅衬底产品通过外延和核心器件企业，制成的终端产品应用于新能源汽车、光伏、轨道交通、电力电子等核心系统。

  全球SiC器件产能到2027年将增长两倍，排名前五的公司是：ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测，未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元，并可能在2030年代初达到100亿美元。

  自2020年汽车缺芯以来，汽车芯片结构性缺芯愈发明显，IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年，其甚至超越车用MCU，成为影响汽车扩产的最大掣肘。

  东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。

  至2023整个财年，英飞凌预计营收将达到约155亿欧元（±5亿欧元）。如果营收为预测区间的中点，则调整后的毛利润率预计将达到45%左右，利润率在25%左右（之前预计利润率约为24%）。

  IGBT是新能源汽车电机控制系统的核心器件，约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，IGBT的质量很大一部分也决定了整车的能源效率。

  功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一， 能够实现对电能的处理、转换及控制，主要包括功率二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET 等 产品。

  氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。

  该系列芯片包含AFE944/946/948/949四个型号，针对医疗诊断设备提供4通道、6通道、8通道集成的模拟前端(AFE)功能，可用于病人监护、便携式和高端心电图(ECG)、脑电图(EEG)及肌电图（EMG）设备。

  到2023年，力争电子元器件行业销售总额达2.1万亿元。国产化趋势下，国内本土厂商迎来替代机遇期。

  近日，上海瞻芯电子科技有限公司（简称“ 瞻芯电子 ”）完成数亿元B轮融资，本轮融资由国方创新领投，国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本等众多机构跟投，老股东临芯投资、光速中国、广发信德持续追加。 投资人观点 国方创新管理合伙人孙忞先生表示 ：碳中和时代背景下，新能源车和光伏、储能等新兴行业快速发展、产品技术持续升级，同时因碳化硅功率器件的性能提升和成本下降，碳化硅器件在新一代电力电子系统中

  器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求， 比如要求大尺寸、高效率和高产能、低污染等。

  日前， 十三届亚洲电源技术发展论坛成功在深圳深铁皇冠假日酒店举办，本次活动包含半导体芯片、功率器件、被动元件、测试测量、检测认证等多个技术方向，涉及新能源、消费电子、汽车、工业、5G通信、储能、物联网等在电源应用上的多类产品。茂睿芯专注中大功率方案，在同期举办的 2022 电源行业配套品牌颁奖晚会上荣获“国产模拟 IC 行业新锐奖”。   茂睿芯中大功率方案展示 方案一 ：大功率高压同步BUCK 控制器MK9218 ①支持超宽范围占空

  氮化镓 (GaN) 是一种半导体材料，因其卓越的性能而越来越受欢迎。与传统的硅基半导体不同，GaN 具有更宽的带隙，这使其成为高频和大功率应用的理想选择。

  硅晶圆正在从8英寸过渡到12英寸，更大的晶圆尺寸，意味着单片晶圆所能够制造的芯片数量更多，晶圆边缘的浪费减少，单芯片成本降低。第三代半导体也不例外，都在向大尺寸晶圆大跨步。

  近年全球IGBT业者产能增长情况，依中国与国际业者分为两个阶段，2021~2023年由中国业者主导，在IGBT芯片自给率低，急需国产替代的趋势下。

  速增长的新能源市场对第三代半导体提出了更多需求，贵司在该领域采取了哪些策略？在市场应用方面有哪些进展？